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　　PECVD 即等離子體增強化學氣相澱積設備，是利用高頻電源輝光放電産生,女子被叉全过程视频,一本道av等離子體對化學氣相沈積過程施加影響的技術。電子和離子的密度達 109～1012個/cm3，平均電子能量可達1～10ev。由于等離子體存在，促進氣體分子的分解、化合、激發和電離，促進反,女子被叉全过程视频,一本道av應活性基團的生成，從而降低沈積溫度。PECVD 在 200℃～500℃範圍內成膜，遠小于其它 CVD 在 700℃～950℃範圍內成膜。由于在氨氣條件下，提高了活性基因的擴散能力，從而提高薄,女子被叉全过程视频,一本道av膜的生長速度和均勻性。在沈積過程中，由于大量的氫存在，起到表面鈍化作用。詳情1

　　1、産能大，單片成本少
　　采用Ф450mm管徑的反應腔，具有産能大、單片成本少、工藝性能佳的優點，單台4管設備156矽片的産能可達18,女子被叉全过程视频,一本道av00片/小時（每管308片/批），同時兼容240片/批、280片/批的産能(整機産能相應按比例下降)。
　　2、自動化程度高
　　全自動上下舟系統，一鍵全自動工藝，自動化,女子被叉全过程视频,一本道av程度的提高增加了産品的重複性和一致性。
　　3、高精度溫度控制
　　采用自主研發、設計、制造的爐體，高精度五段,女子被叉全过程视频,一本道av雙回路溫度控制系統，回溫速度快，控制精度均處于國內領先地位。
　　4、業內領先的新型壓力控制系統
　　采用自主新研發的新型全自動精密閉環壓力控,女子被叉全过程视频,一本道av制技術，壓力控制精度以及實時響應能力大幅提高30%，真空系統更加高效、穩定性提高，反應腔氣氛更加均勻。

　　1、成膜種類：二氧化矽、氮化矽；
　　2、裝片尺寸及裝片量： 156x156mm方片（308片/批）；
　　3、成膜均勻性片內≤±3% 片間≤±3% 批間≤±2%（膜厚80nm左右，折射率大于2.04）；
　　4、爐膛有效內徑： Ф475mm (石英管外徑Ф450mm)；
　　5、溫度控制範圍： 300～600℃；
　　6、恒溫區長度及精度： ±2℃/1450mm（500℃）；
　　7、升溫時間： RT→450℃≤40min；
　　8、系統極限真空： 3Pa；
　　9、工作壓力範圍和精度： 50 Pa～300±5Pa（閉環控制）；
　　10、氣密性：漏率≤1×10-7pa.m3/s。